[实用新型]集成电路有效
| 申请号： | 202022294595.X | 申请日： | 2020-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN212874475U | 公开（公告）日： | 2021-04-02 |
| 发明（设计）人： | F·朱利恩;A·马扎基 | 申请（专利权）人： | 意法半导体(鲁塞)公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L27/11517;H01L27/11563 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 董莘 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开的实施例涉及集成电路。根据本公开的一方面，提供了一种集成电路，包括：半导体衬底，具有正面、第一区域和第二区域；其中，半导体衬底的第一区域包括被形成在第一沟槽中的掩埋晶体管的竖直栅极，第一沟槽竖直延伸到半导体衬底中，相对于正面下到第一深度；以及其中，半导体衬底的第二区域包括被形成在第二沟槽中的电容元件的竖直电极，第二沟槽竖直延伸到半导体衬底中，相对于正面下到第二深度；其中，第二深度比第一深度浅。利用本公开的实施例，使得由泄漏引起的寄生效应减小；使得逻辑部分经受很少的来自浅沟槽隔离的机械应力；以及具有与电容结构的深度无关的特性的掩埋竖直栅极晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
