[实用新型]一种半导体器件测试电路有效
| 申请号： | 202022300118.X | 申请日： | 2020-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN213546268U | 公开（公告）日： | 2021-06-25 |
| 发明（设计）人： | 许小靓;蔡文必;廖金昌;鲁华城 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L29/20;H01L29/772 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人： | 张松亭;吴晓梅 |
| 地址： | 361000 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种半导体器件测试电路，它包括半导体器件和过流能引起熔断的熔断支路，该半导体器件具有栅极、漏极和源极，该熔断支路与该漏极串接，该熔断支路包括熔断丝，该熔断丝的一端与该漏极电性连接，且另一端与一电性接点连接，该熔断丝与该漏极、电性接点形成空气桥结构。它具有如下优点：熔断速度快、制作简单、成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 测试 电路 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
