[实用新型]一种单向半导体放电管及双向半导体放电管有效
| 申请号： | 202022356951.6 | 申请日： | 2020-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN213752708U | 公开（公告）日： | 2021-07-20 |
| 发明（设计）人： | 单少杰;苏海伟;魏峰;王帅;张英鹏;范炜盛 | 申请（专利权）人： | 上海维安半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L27/07 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 党蕾 |
| 地址： | 201323 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及半导体保护器件技术领域，尤其涉及一种单向半导体放电管及双向半导体放电管，其中，包括：相互并联的第一TSS器件及第一TVS器件；其中，包括第一半导体衬底，第一半导体衬底上表面设置有一预定深度的第一N型掺杂区，第一半导体衬底下表面设置有一预定深度的第二N型掺杂区；一第一TSS器件区域；一第一TVS器件区域设置于第一TSS器件区域的一侧；第一TSS器件区域与第一TVS器件区域通过第一N型掺杂区及第二N型掺杂区实现并联。有益效果：使得形成有二次回归的特性曲线，且使得在小电流情况下由第一TVS器件区域导通，从而有效降低器件残压，进而消除器件浪涌对后端电路的影响，防止后端电路受到残压影响后损坏。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单向 半导体 放电 双向 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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