[实用新型]高性能MOSFET过压保护芯片有效
| 申请号： | 202022371450.5 | 申请日： | 2020-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN212934597U | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 郭力 | 申请（专利权）人： | 无锡力神微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/367;H01L23/467 |
| 代理公司： | 北京盛凡智荣知识产权代理有限公司 11616 | 代理人： | 任娜娜 |
| 地址： | 214000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了高性能MOSFET过压保护芯片，包括芯片本体，所述芯片本体侧表面固定有接线针脚，所述芯片本体上固定有导热硅胶块，所述导热硅胶块内侧设置有凸块，所述凸块与芯片本体通过焊接固定，所述导热硅胶块上表面固定有导热铜片，所述导热铜片上一体成型有导热凸起，所述导热硅胶块上表面对应于导热凸起开设有第二通风孔；通过设置有导热硅胶块、导热铜片、第二通风孔、第一通风孔及凸块，便于避免芯片本体自身与外侧自然风接触面积小，自身散热效果差，便于提高风冷效果，通过设置有绝缘橡胶及微孔，便于避免两个接线针脚之间发生接触短路，便于对两个接线针脚进行隔绝。 | ||
| 搜索关键词： | 性能 mosfet 保护 芯片 | ||
【主权项】：
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