[实用新型]可控硅芯片有效
| 申请号： | 202022433222.6 | 申请日： | 2020-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN212907748U | 公开（公告）日： | 2021-04-06 |
| 发明（设计）人： | 李晓锋;黄富强 | 申请（专利权）人： | 浙江里阳半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74;H01L29/06;H01L29/417;H01L29/423 |
| 代理公司： | 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 | 代理人： | 郭燕;彭家恩 |
| 地址： | 317600 *** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 一种可控硅芯片，包括基区、第一注入区、第二注入区、第三注入区、所述第一注入区表面上的阳极电极A、第二注入区部分表面上的门极电极G以及第三注入区表面上的阴极电极K，其中，所述门极电极G与所述阴极电极K朝向相同，高度低于所述阴极电极K，且所述门极电极G上具有凹槽。由于凹槽的存在，保障了整体的门极电极G不会高于阴极电极K，使得门极电极G不会被轻易的磕碰损坏，当焊接引线之后，门极电极G上的引线也不容易被碰掉，更加牢固。并且凹槽为该可控硅芯片焊接时提供了一个引线定位槽，提高了可控硅芯片门极电极外部引线焊接的高效性和稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 可控硅 芯片 | ||
【主权项】：
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