[实用新型]一种DFN3333-8A高密度框架有效
申请号: | 202022481667.1 | 申请日: | 2020-11-02 |
公开(公告)号: | CN212136437U | 公开(公告)日: | 2020-12-11 |
发明(设计)人: | 崔金忠;樊增勇;董勇;许兵;任伟;李宁;刘剑 | 申请(专利权)人: | 成都先进功率半导体股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/495 | 分类号: | H01L23/495 |
代理公司: | 四川力久律师事务所 51221 | 代理人: | 范文苑 |
地址: | 611731 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本实用新型涉及芯片封装制造技术领域,一种DFN3333‑8A高密度框架,包括框架,框架上设有多个芯片安装单元,芯片安装单元通过横向筋与竖向筋连接,每个芯片安装单元相对的两边分别各设有四个管脚,管脚连接有管脚横向筋,芯片安装单元内设有一个基岛,基岛与管脚存在间隙,竖向筋与管脚横向筋相交处设有一个一字加强筋,间隙两侧的竖向筋上沿竖向设有第一加强筋,第一加强筋沿竖向长度大于间隙间距。本实用新型框架在竖向筋与管脚横向筋相交处只设置一个一字加强筋,间隙两侧的竖向筋上沿竖向设有长度大于间隙的第一加强筋,既能保证框架的强度又能改善塑封后框架的翘曲问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 dfn3333 高密度 框架 | ||
【主权项】:
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