[实用新型]基板加热装置有效
| 申请号： | 202022614549.3 | 申请日： | 2020-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN213242503U | 公开（公告）日： | 2021-05-18 |
| 发明（设计）人： | 周文君 | 申请（专利权）人： | 合肥维信诺科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 朱颖;刘芳 |
| 地址： | 230037 安徽省合*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供一种基板加热装置，涉及基板加工工艺技术领域，用于解决在基板上形成的聚酰亚胺膜中存在气泡，导致聚酰亚胺膜的良率低的技术问题，该基板加热装置包括炉体、加热部和隔热部，加热部和隔热部位于加热腔室内，待加热基板放入加热腔室内加热时，加热部位于待加热基板的一侧，隔热部位于待加热基板的远离加热部的一侧，以使待加热基板的靠近加热部的一侧与靠近隔热部的一侧之间形成预设的温度差。本实用新型用于改善聚酰亚胺膜中存在的气泡，提高聚酰亚胺膜的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 加热 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
