[实用新型]一种ESOP8芯片双基岛结构有效
| 申请号： | 202022652632.X | 申请日： | 2020-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN213124429U | 公开（公告）日： | 2021-05-04 |
| 发明（设计）人： | 韩开宇 | 申请（专利权）人： | 中山市东翔微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/055 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 528400 广东省中*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及芯片技术领域，具体揭示了一种ESOP8芯片双基岛结构，包括塑封体，塑封体正面的顶部的左右两侧均固定连接有基岛，塑封体正面的右侧开设有定位孔，塑封体正面的正面与底部均水平横向等距离固定连接有引脚。本实用新型通过定位孔的结构设计，能够使该塑封体具有快速散热的能力，再通过基岛与绝缘层以及塑封体中央设计的绝缘板的结构设计，能够隔绝两个基岛之间会相互传递电流的情况，再通过散热片与塑封体之间的结构设计，能够使散热片可以之间对塑封体进行散热，从而使该ESOP8芯片双基岛结构达到了能隔绝两个双基岛之间相互传递的电流，从而加快芯片的散热速度的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 esop8 芯片 双基岛 结构 | ||
【主权项】：
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