[实用新型]一种刻蚀机有效
| 申请号： | 202022665670.9 | 申请日： | 2020-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN213752635U | 公开（公告）日： | 2021-07-20 |
| 发明（设计）人： | 罗治亮;张天翼;刘欢 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 邵磊;张颖玲 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请实施例提供本一种刻蚀机，包括刻蚀室和加热室，通过加热室对完成刻蚀的半导体进行加热，使得位于刻蚀出的孔或沟槽底部的可能造成凝结缺陷的气体排出，缓解甚至避免了凝结缺陷的形成。半导体放回初始的拾取位置，由于刻蚀出的孔或沟槽底部的可能造成凝结缺陷的气体已基本排出，放回初始的拾取位置的半导体的孔或沟槽内基本上没有可能造成凝结缺陷的气体散逸到其它半导体，避免了其它半导体受到散逸出的可能造成凝结缺陷的气体的影响而产生凝结缺陷。因此，半导体的允许等待时间延长，有利于完成同一批次的所有半导体的刻蚀后，再将同一批次的所有半导体转移至下一个工序，保证了产品的品质。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 刻蚀 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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