[实用新型]一种半导体制冷器性能测试装置有效

专利信息
申请号: 202022670671.2 申请日: 2020-11-18
公开(公告)号: CN213600367U 公开(公告)日: 2021-07-02
发明(设计)人: 郝国文 申请(专利权)人: 秦皇岛富连京电子股份有限公司
主分类号: G01M99/00 分类号: G01M99/00
代理公司: 北京冠和权律师事务所 11399 代理人: 吴金水
地址: 066000 河北省*** 国省代码: 河北;13
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摘要: 实用新型涉及测试设备技术领域,更具体地说,它涉及一种半导体制冷器性能测试装置,包括底座,所述底座安装有壳体,所述壳体与所述底座构成用于测试的密闭空间,所述底座安装有放置台和压紧块,所述压紧块靠近和远离所述放置台运动,所述放置台靠近所述压紧块一侧设有用于抵接配合所述测试样品放热面的第一接触面,所述压紧块靠近所述放置台一侧设有用于抵接配合所述测试样品制冷面的第二接触面;所述底座设有真空孔,所述真空孔一端连通所述密闭空间另一端通过管路连接有真空泵,所述放置台内安装有制冷装置,所述压紧块内安装有加热装置;具有测试准确度高的优点。
搜索关键词: 一种 半导体 制冷 性能 测试 装置
【主权项】:
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