[实用新型]MEMS器件有效
| 申请号： | 202022675145.5 | 申请日： | 2020-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN214528128U | 公开（公告）日： | 2021-10-29 |
| 发明（设计）人： | 孟燕子;李刚;孙恺;荣根兰 | 申请（专利权）人： | 苏州敏芯微电子技术股份有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00;B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;张靖琳 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 公开了一种MEMS器件，包括：衬底，具有第一空腔；第一牺牲层，位于所述衬底的第一表面上，具有第二空腔；振膜层，所述振膜层的至少一部分由所述第一牺牲层支撑；第二牺牲层，位于所述振膜上，具有第三空腔；背极板层，位于所述第二牺牲层上，所述背极板层的至少一部分由第二牺牲层支撑，其中，所述第一空腔包括多个堆叠的通孔，多个所述通孔的中心线重合，且与所述振膜相对。本申请的MEMS器件，衬底的第一空腔设置为至少包括第一通孔和第二通孔，第一通孔更靠近振膜层且第一通孔的直径大于第二通孔的直径，由于第一通孔与衬底第一表面的交界处光滑，在振膜发生大形变时，降低了振膜的应力集中，进而降低了MEMS器件的失效。 | ||
| 搜索关键词： | mems 器件 | ||
【主权项】：
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