[实用新型]P波段大功率高隔离SPDT开关有效

专利信息
申请号: 202022697543.7 申请日: 2020-11-19
公开(公告)号: CN213367754U 公开(公告)日: 2021-06-04
发明(设计)人: 张海;彭皞;万超云;成颖 申请(专利权)人: 成都创吉科技有限责任公司
主分类号: H03K17/74 分类号: H03K17/74
代理公司: 成都瑞创华盛知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 51270 代理人: 辜强
地址: 610041 四川省成都市成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 实用新型提供一种P波段大功率高隔离SPDT开关,该开关包括一个输入端和两个输出端,输入端与一个输出端之间的结构跟输入端与另一个输出端之间的结构为对称结构;输入端通过第一电感L1接地,输入端与一个输出端之间依次串联第一二极管D1、第一电容C1、第三电感L3、第五电容C5,该第一二极管D1的负极连接输入端,第一二极管D1、第一电容C1、第三电感L3、第五电容C5之间设置有多个接地子电路。本实用新型P波段大功率高隔离SPDT开关具有体积小、承受功率高、隔离高等特点。
搜索关键词: 波段 大功率 隔离 spdt 开关
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