[实用新型]用于PECVD设备的承载支架及腔体有效
| 申请号： | 202022807571.X | 申请日： | 2020-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN215103544U | 公开（公告）日： | 2021-12-10 |
| 发明（设计）人： | 杨宝海;杨娜;潘家永;许伟伟;宋玉超;李轶军;李翔;李敦信;李义升 | 申请（专利权）人： | 营口金辰机械股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/50 | 分类号： | C23C16/50;C23C16/458;C23C16/54 |
| 代理公司： | 沈阳亚泰专利商标代理有限公司 21107 | 代理人： | 周涛 |
| 地址： | 115000 辽宁省*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 用于PECVD设备的承载支架及腔体属于半导体材料制造领域，具体涉及太阳能电池生产中等离子体增强化学气相沉积（PECVD）的真空镀膜系统、该真空镀膜系统中的传输机构和传输机构中的承载支架及与该承载支架配合的腔体。本实用新型提供一种使用方便，对光伏硅片无影响的承载支架及与该承载支架配合的腔体。本实用新型的承载支架，包括主体支架，主体支架下方设置有多个钩形抓手单元，所述钩形抓手单元包括与主体支架相连的连接杆，连接杆两侧均设置有钩手；主体支架两侧设置有导轮。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 pecvd 设备 承载 支架 | ||
【主权项】：
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
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