[实用新型]一种减缓边缘场强畸变的电容器元件结构有效
| 申请号： | 202022842637.9 | 申请日： | 2020-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN213583513U | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 洪佳亮 | 申请（专利权）人： | 上海上电电容器有限公司 |
| 主分类号： | H01G4/005 | 分类号： | H01G4/005;H01G4/14;H01G4/32;H01G2/20 |
| 代理公司： | 北京酷爱智慧知识产权代理有限公司 11514 | 代理人： | 袁克来 |
| 地址： | 201424 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种减缓边缘场强畸变的电容器元件结构，包括元件本体，该元件本体采用上极板、下极板和介质层卷制而成，使得所述上极板和下极板之间夹设有所述介质层，该介质层包括若干聚丙烯薄膜，且所述上极板和下极板为凸极折边结构，位于所述元件本体的最外侧的所述介质层中夹设有两个衬垫，两个所述衬垫分别位于所述元件本体的顶部和底部，使得所述元件本体的上表面和下表面平整；所述衬垫包括若干沿所述元件本体的厚度方向叠放的绝缘衬纸。本实用新型在元件本体卷制完成后在其上下表面的最外侧的介质层之间插入衬垫，以弥补其中间位置凹陷的厚度差，使其中间位置与两端表面大致齐平，从而提高元件本体的压紧系数，减缓边缘场强畸变。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 减缓 边缘 场强 畸变 电容器 元件 结构 | ||
【主权项】：
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