[实用新型]一种具有带外抑制度激光修正桥的硅基滤波芯片

摘要

本实用新型涉及一种具有带外抑制度激光修正桥的硅基滤波芯片。属于滤波电器件技术领域。包括：n个硅腔谐振单元，每个硅腔谐振单元包括上下依次设置的第一金属层、高阻硅介质层和第二金属层；其特征在于设置激光修正桥单元，分布在第一金属层上，且加载于第一槽线和第二槽线的末端，所述激光修正桥单元由数个中间细两端粗的蝶形金属连接线组成。通过在硅腔谐振单元四周刻蚀通孔，并在通孔内壁溅射金属沉积层，形成类波导，具有Q值高、损耗小的优点，利用激光点烧激光修正桥，实现了硅基滤波芯片加工后带外抑制度变差后的修正功能，且修正范围可调。