[实用新型]芯片内部地平面版图结构有效

专利信息
申请号: 202022936320.1 申请日: 2020-12-10
公开(公告)号: CN213845271U 公开(公告)日: 2021-07-30
发明(设计)人: 崔露霞;边亚磊;刘新宇;刘芮;朱影 申请(专利权)人: 思诺威科技(无锡)有限公司
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02;H01L27/12
代理公司: 南京智造力知识产权代理有限公司 32382 代理人: 张明明
地址: 214028 江苏省无*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型公开了新型芯片内部地平面版图结构,属于芯片设计技术领域。芯片内部地平面版图采用地线单元阵列进行平面铺设,地线单元阵列包括多个相互之间能够完整对接的地线单元。所有接地区域实现全面积铺设,层与层之间通过大量的通孔充分连接,减少地线寄生电阻;地线单元满足全部工艺需求,因此对于任意宽度、面积和形状的接地版图区域,均不需要考虑金属密度以及打孔工艺的问题,地线单元阵列适合大部分的版图设计工艺;尽可能大的接地面积将IR DROP尽可能的降到最小,从而保证各模块的地电位一致;调用多个地线单元构成阵列时,各地线单元之间无缝对接,不易出错、铺设方便。
搜索关键词: 芯片 内部 平面 版图 结构
【主权项】:
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