[实用新型]存储器单元和存储器单元阵列有效
| 申请号： | 202023063519.4 | 申请日： | 2020-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN215376932U | 公开（公告）日： | 2021-12-31 |
| 发明（设计）人： | S·J·阿梅德;K·J·多里 | 申请（专利权）人： | 意法半导体国际有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/412 | 分类号： | G11C11/412;G11C11/419;H01L27/11 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 罗利娜 |
| 地址： | 瑞士*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及存储器单元和存储器单元阵列。实施例公开了具有小面积和高效纵横比的SRAM布局。一种存储器单元，包括一组有源区，该有源区与一组栅极区交叠以形成成对的交叉耦合反相器。第一有源区沿第一轴线延伸。第一栅极区横向于第一有源区延伸并与第一有源区交叠，以形成该对交叉耦合反相器的第一晶体管。第二栅极区横向于第一有源区延伸并与第一有源区交叠，以形成该对交叉耦合反相器的第二晶体管。第二有源区沿第二轴线延伸并与第一栅极区交叠，以形成该对交叉耦合反相器的第三晶体管。第四有源区沿第三轴线延伸并与栅极区交叠，以形成读取端口的晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 单元 阵列 | ||
【主权项】：
暂无信息
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