[实用新型]一种半导体用具有气场均匀的高温气相沉积炉有效
申请号: | 202023071134.2 | 申请日: | 2020-12-18 |
公开(公告)号: | CN214529233U | 公开(公告)日: | 2021-10-29 |
发明(设计)人: | 王敏;唐蓉;吴汉涛;孙珏 | 申请(专利权)人: | 无锡恒大电子科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;H01L21/205 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 214000 江苏省无锡市建*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型涉及气相沉积炉技术领域,且公开了一种半导体用具有气场均匀的高温气相沉积炉,包括气相沉积炉壳,所述气相沉积炉壳的底部焊接安装有气相沉积炉底座,气相沉积炉壳顶部安装有橡胶圈,所述橡胶圈的内部开设有位于气相沉积炉壳内部的气相沉积炉内胆,本装置通过在沉积炉盖顶部安装真空泵,通过真空泵和连接管、抽风管、抽气蓬头等装置连接,使得炉内气场变的均匀,增加炉内气场的均匀性,从而达到了提高沉积效率的目的,本装置的沉积炉盖通过使用搭扣的方式进行固定,且沉积炉盖与气相沉积炉连接处设有橡胶圈,可防止气体流出,同时设有炉盖卡接槽,在安装使用方便的同时,也保证了装置的密封性。 | ||
搜索关键词: | 一种 半导体 用具 有气 均匀 高温 沉积 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的