[实用新型]碳化硅外延片的反应室及其排气装置和半导体设备有效
| 申请号： | 202023086331.1 | 申请日： | 2020-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN213781995U | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 周长健;吴从俊 | 申请（专利权）人： | 中电化合物半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/205 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 苗晓娟 |
| 地址： | 315336 浙江省宁波市杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供一种反应室的排气装置，其中，所述反应室包括腔体，所述排气装置位于所述腔体的一侧，用于将冗余气体排出所述腔体；所述排气装置包括排气口及设置在所述排气口上的均流装置，所述排气口设置在所述腔体一侧，所述均流装置包括基座和均流层，所述基座安装在所述排气口上，且所述基座为中空结构：所述均流层安装在所述基座上，所述均流层上设有多个排气孔。本实用新型结构简单，可实现腔体内各个方向气流更加均匀。本实用新型还提供一种包含上述排气装置的碳化硅外延片的反应室及包含上述反应室的半导体设备。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 外延 反应 及其 排气装置 半导体设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中电化合物半导体有限公司，未经中电化合物半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202023086331.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
