[实用新型]一种晶圆缓存装置和化学机械抛光系统有效
| 申请号： | 202023108924.3 | 申请日： | 2020-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN213936140U | 公开（公告）日： | 2021-08-10 |
| 发明（设计）人： | 许振杰;肖莹;孙传恽;郑树茂 | 申请（专利权）人： | 华海清科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/673 | 分类号： | H01L21/673;H01L21/67 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300350 天津市津*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种晶圆缓存装置和化学机械抛光系统，所述晶圆缓存装置包括支撑架和检测组件，所述支撑架用于水平支撑晶圆，所述检测组件设置于所述支撑架的外周侧；所述检测组件包括信号收发部、反射部和遮光板，所述遮光板罩设于所述反射部的侧部，其上设置有透光孔，所述信号收发部输出的光信号朝向所述反射部发射，光信号经由所述透光孔入射至所述反射部，再自所述反射部经由所述透光孔发射至所述信号收发部；所述检测组件根据所述信号收发部的接收的光信号判定所述支撑架是否放置晶圆。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 缓存 装置 化学 机械抛光 系统 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
