[实用新型]自动计时蚀刻装置和蚀刻平台有效
| 申请号： | 202023339455.6 | 申请日： | 2020-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN213936132U | 公开（公告）日： | 2021-08-10 |
| 发明（设计）人： | 蔡少忠;张洁;张煌珊;李思娜;许佳锋 | 申请（专利权）人： | 湖南三安半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 张洋 |
| 地址： | 410000 湖南省长沙市高新开发*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供的一种自动计时蚀刻装置和蚀刻平台，涉及半导体生产技术领域。该自动计时蚀刻装置包括驱动件、升降单元、托架和控制器，驱动件与升降单元连接，托架与升降单元连接，托架用于安装蚀刻样品，控制器与驱动件连接，用于控制驱动件将托架移动至蚀刻溶液中，控制器还用于对托架置于蚀刻溶液中的蚀刻时长进行计时。能够精确控制蚀刻样品即晶片的蚀刻时长，提高蚀刻效率和质量，从而提高晶片质量判断的精确度，缩短生产排程，提升生产效率和生产质量。 | ||
| 搜索关键词： | 自动 计时 蚀刻 装置 平台 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
