[实用新型]一种坩埚盖、坩埚及晶体生长装置有效
| 申请号： | 202023340832.8 | 申请日： | 2020-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN215163306U | 公开（公告）日： | 2021-12-14 |
| 发明（设计）人： | 廖弘基;张洁;陈华荣;杨树;陈泽斌;洪棋典 | 申请（专利权）人： | 湖南三安半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 覃蛟 |
| 地址： | 410000 湖南省长沙市高新开发*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种坩埚盖、坩埚及晶体生长装置，涉及结晶设备技术领域。坩埚盖包括盖体，盖体具有用于与籽晶粘接的粘接面，在盖体的粘接面上固定有多孔粘接层。在盖体的粘接面上固定多孔粘接层，可以有效的改善籽晶的粘接均匀性，提高籽晶粘接的质量，抑制籽晶背面出现的升华现象，能够有效减少晶体生长过程中六方空洞和微管等缺陷的产生，提高结晶的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 坩埚 晶体生长 装置 | ||
【主权项】：
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