[发明专利]对3D存储器件进行编程的方法及相关3D存储器件在审
| 申请号： | 202080000292.2 | 申请日： | 2020-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN111344793A | 公开（公告）日： | 2020-06-26 |
| 发明（设计）人： | 杨学鹏;游开开 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;H01L27/11519;H01L27/11524;H01L27/11556;H01L27/11565;H01L27/1157;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 刘健;张殿慧 |
| 地址： | 430223 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在包括堆叠在第二沟道上的第一沟道的沟道堆叠存储器件中，按照从底部到顶部的方向对第一沟道进行编程并且按照从顶部到底部的方向对第二沟道进行编程。第一沟道中的电子可以由位线汲取，而第二沟道中的电子则可以由阱区汲取。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 器件 进行 编程 方法 相关 | ||
【主权项】：
暂无信息
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