[发明专利]三维存储器件及用于形成其的方法有效
| 申请号： | 202080000937.2 | 申请日： | 2020-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN111788686B | 公开（公告）日： | 2021-08-31 |
| 发明（设计）人： | 吴林春;周文犀 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/1157 | 分类号： | H01L27/1157;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 张殿慧;刘健 |
| 地址： | 430223 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了3D存储器件及用于形成其的方法的实施例。在一个示例中，一种3D存储器件包括：衬底的N型掺杂区；位于所述N型掺杂区上的N型掺杂半导体层；位于所述N型掺杂半导体层上的包括交织的导电层和电介质层的存储堆叠层；垂直地延伸通过所述存储堆叠层和所述N型掺杂半导体层进入所述N型掺杂区的沟道结构；以及，垂直地延伸通过所述存储堆叠层和所述N型掺杂半导体层进入所述N型掺杂区的源触点结构。所述源触点结构的被所述N型掺杂区包围的第一部分的第一横向尺寸大于所述源触点结构的被所述存储堆叠层包围的第二部分的第二横向尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 存储 器件 用于 形成 方法 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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