[发明专利]3D NAND闪存及其操作方法有效
| 申请号： | 202080001028.0 | 申请日： | 2020-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN111758130B | 公开（公告）日： | 2021-04-16 |
| 发明（设计）人： | 刘红涛;蒋颂敏;黄德佳;黄莹;魏文喆 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04;G11C7/18;G11C7/10 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 林锦辉 |
| 地址： | 430223 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 一种用于3D NAND闪存的操作方法包括：在写入操作中将数据写入到多条位线中的未选定位线的多个字线层中的WLn层中；以及在所述多条位线中的未选定位线的所述多个字线层中的至少一个第一WL层上施加第一通过电压，并且在所述多条位线中的未选定位线的所述多个字线层中的至少一个第二WL层上施加第二通过电压；其中，第一通过电压低于第二通过电压，从而在从验证阶段去除预脉冲阶段时缩小了WLn层与所述至少一个第一WL层之间的沟道电势差。 | ||
| 搜索关键词： | nand 闪存 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
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