[发明专利]用于具有更高阵列效率的2堆叠3D相变存储器的新型分布式阵列和CMOS架构有效
| 申请号： | 202080001051.X | 申请日： | 2020-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN111819705B | 公开（公告）日： | 2021-08-17 |
| 发明（设计）人： | 刘峻 | 申请（专利权）人： | 长江先进存储产业创新中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 赵磊;刘柳 |
| 地址： | 430223 湖北省武汉市东湖新技术开发区*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种三维存储架构，其包括存储单元的底部单元阵列、存储单元的顶部单元阵列、耦合到底部单元阵列的多条底部单元位线、耦合到顶部单元阵列的多条顶部单元位线、以及耦合到这两个阵列的多条字线。提供位线解码器和字线解码器以选择性地激活位线和字线。将存储单元的阵列分别布置在偏移的子部分中。将位线和字线分别布置在偏移的部分中。将位线解码器布置在偏移的位线解码器子部分中。将字线解码器也布置在偏移的字线解码器子部分中。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 具有 更高 阵列 效率 堆叠 相变 存储器 新型 分布式 cmos 架构 | ||
【主权项】：
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