[发明专利]存储器件及其形成方法有效

专利信息
申请号: 202080001175.8 申请日: 2020-05-22
公开(公告)号: CN111771282B 公开(公告)日: 2021-08-03
发明(设计)人: 吴真用 申请(专利权)人: 长江存储科技有限责任公司
主分类号: H01L27/11575 分类号: H01L27/11575;H01L27/1157;H01L27/11573;H01L27/11582
代理公司: 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 代理人: 赵磊;刘柳
地址: 430223 湖北省武*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 提供了存储器件和形成方法。所述存储器件包括:衬底;衬底上的阶梯结构;在与衬底相对的一侧上的阶梯结构上的串驱动器结构;以及金属布线结构,其沿着相对于衬底的横向表面的垂直方向,位于串驱动器结构和阶梯结构之间。阶梯结构包括多个字线层。串驱动器结构包括多个晶体管,以单独对多个字线层进行寻址。基于阶梯结构的横向中心区域,串驱动器结构和金属布线结构与阶梯结构垂直对齐。
搜索关键词: 存储 器件 及其 形成 方法
【主权项】:
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