[发明专利]存储器件及其形成方法

摘要

存储器件包括底部选择栅(BSG)结构，该BSG结构包括衬底上的垂直地穿过BSG结构的切缝。在BSG结构上形成单元层结构。垂直地穿过单元层结构和BSG结构形成栅线缝隙，进入衬底并沿第一横向方向布置以区分指状区域。第一栅线缝隙在第一和第二指状区域之间，并且包括栅线子缝隙。通过第一切缝将第一指状区域划分为第一串区域和第二串区域，沿第二横向方向在第一指状区域中形成第一切缝，并且进一步沿第一横向方向延伸到至少第二指状区域。由第一切缝限定的至少一个BSG位于至少第二指状区域中，以通过相邻栅线子缝隙之间的中间部分来连接至第一串区域中的单元串。