[发明专利]半导体装置和其制作方法在审
| 申请号： | 202080001442.1 | 申请日： | 2020-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN111758167A | 公开（公告）日： | 2020-10-09 |
| 发明（设计）人： | 李浩;张安邦;王剑;郑浩宁 | 申请（专利权）人： | 英诺赛科（珠海）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王允方 |
| 地址： | 519085 广东省珠*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种半导体装置和其制作方法。所述半导体装置包含第一III族氮化物层、第二III族氮化物层、第一接触层、第二接触层、结构以及栅极层。所述第二III族氮化物层与所述第一III族氮化物层直接接触。所述第一接触层和所述第二接触层安置在所述第二III族氮化物层之上。所述结构邻近所述第一III族氮化物层和所述第二III族氮化物层的界面，并且所述结构的材料与所述第一III族氮化物层的材料或所述第二III族氮化物层的材料不同。所述栅极层安置在所述第一接触层与所述第二接触层之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制作方法 | ||
【主权项】：
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