[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202080001456.3 | 申请日： | 2020-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN111758166A | 公开（公告）日： | 2020-10-09 |
| 发明（设计）人： | 李长安;张铭宏;唐军;杜子明 | 申请（专利权）人： | 英诺赛科（珠海）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/45 | 分类号： | H01L29/45;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王允方 |
| 地址： | 519085 广东省珠*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本公开的一些实施例提供一种半导体器件(semiconductor device)。所述半导体器件包含：衬底；于所述衬底上的第一氮化物半导体层；于所述第一氮化物半导体层上的第二氮化物半导体层，所述第二氮化物半导体层具有比所述第一氮化物半导体的能隙大的能隙；设置于所述第二氮化物半导体上的中间层；以及设置于所述中间层上的导电结构，其中第一平坦介面形成于所述中间层和所述第二氮化物半导体之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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