[发明专利]两步L形选择性外延生长

摘要

本公开提供了一种处理半导体器件的方法，所述半导体器件具有形成在衬底上方的源极牺牲层之上的堆叠层、垂直延伸穿过堆叠层和源极牺牲层的沟道结构、垂直延伸穿过堆叠层的栅极线切口沟槽、以及覆盖堆叠层的未覆盖的顶表面和未覆盖的侧表面的间隔层。所述方法可以包括：通过去除源极牺牲层来暴露沟道结构的下侧壁；在所有未覆盖的表面上形成保护层；通过去除保护层的第一部分和沟道结构的绝缘层来暴露沟道结构的沟道层；在暴露的沟道层之上形成初始源极连接层；通过去除保护层的第二部分来暴露衬底；以及在初始源极连接层和暴露的衬底之上形成源极连接层。