[发明专利]用于三维存储器中的字线触点的阶梯结构在审
| 申请号： | 202080001708.2 | 申请日： | 2020-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN112106193A | 公开（公告）日： | 2020-12-18 |
| 发明（设计）人： | 汤强 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L23/535;H01L27/1157;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 于景辉;李文彪 |
| 地址： | 430223 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 公开了三维(3D)存储器件和用于形成3D存储器件的方法的实施例。在示例中，3D存储器件包括膜堆叠层，该膜堆叠层具有垂直地堆叠在衬底上的多个导电层和电介质层对。每个导电层和电介质层对包括电介质层和导电层。该3D存储器件还包括阶梯区域，该阶梯区域具有形成在膜堆叠层中的第一阶梯结构和第二阶梯结构，其中第一阶梯结构和第二阶梯结构均在第一方向上横向地延伸并且包括多个导电层和电介质层对。阶梯区域还包括连接第一阶梯结构和第二阶梯结构的阶梯桥。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 三维 存储器 中的 触点 阶梯 结构 | ||
【主权项】：
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