[发明专利]半导体器件及用于形成半导体器件的方法有效
| 申请号： | 202080001864.9 | 申请日： | 2020-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN112020774B | 公开（公告）日： | 2023-09-08 |
| 发明（设计）人： | 吴林春;张坤;张中;周文犀;夏志良 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H10B43/00 | 分类号： | H10B43/00;H10B43/30;H10B43/27 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 于景辉;李文彪 |
| 地址： | 430223 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了用于形成接触结构及其半导体器件的方法的实施例。在示例中，半导体器件包括绝缘层、绝缘层之上的导电层、以及在导电层中并与绝缘层接触的间隔部结构。半导体器件还包括在间隔部结构中并垂直地延伸穿过绝缘层的第一接触结构。第一接触结构包括彼此接触的第一接触部分和第二接触部分。第二接触部分的上表面与导电层的上表面共面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 用于 形成 方法 | ||
【主权项】：
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