[发明专利]用于使用层压间隙填充来减少3D交叉点存储器阵列中的热串扰的方法有效
| 申请号： | 202080002919.8 | 申请日： | 2020-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN112368771B | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 刘峻 | 申请（专利权）人： | 长江先进存储产业创新中心有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C7/04 | 分类号： | G11C7/04;G11C5/06;G11C5/12 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 张文锦;刘茹 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖新技术开发区*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 描述了能够通过使用层压材料来减少存储单元的三维阵列中的单元之间的热串扰量的系统、方法和装置，层压材料进而允许存储单元的较小缩放制造。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 使用 层压 间隙 填充 减少 交叉点 存储器 阵列 中的 热串扰 方法 | ||
【主权项】：
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