[发明专利]发光二极管在审
申请号: | 202080003000.0 | 申请日: | 2020-03-19 |
公开(公告)号: | CN112272870A | 公开(公告)日: | 2021-01-26 |
发明(设计)人: | 林素慧;黄禹杰;王锋;何安和;王庆;朱秀山;彭康伟;洪灵愿 | 申请(专利权)人: | 厦门三安光电有限公司 |
主分类号: | H01L33/38 | 分类号: | H01L33/38;H01L33/40;H01L33/44;H01L33/06;H01L33/30;H01L33/14 |
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地址: | 361100 福建省厦门市*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本发明提供了一种发光二极管。在一些实施中,该发光二极管包括半导体发光叠层、第一电极和第二电极,其中所述半导体发光叠层具有相对的第一表面、第二表面及连接该第一表面和第二表面的侧壁,包含第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层,所述第一电极电连接至所述第一导电型半导体层,所述第二电极电连接至所述第二导电型半导体层,其特征在于:所述第一电极和第二电极位于半导体发光叠层的第一表面之上,两者之间的间距为80μm以下,所述半导体发光叠层的侧壁覆盖有具有载流子俘获效应的绝缘层,所述绝缘层之上设置有钝化层,所述钝化层覆盖所述半导体发光叠层的侧壁及露出的第一表面、第一电极和第二电极的侧壁。 | ||
搜索关键词: | 发光二极管 | ||
【主权项】:
暂无信息
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