[发明专利]用于3D FeRAM的架构、结构、方法和存储阵列有效
| 申请号： | 202080003086.7 | 申请日： | 2020-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN112470274B | 公开（公告）日： | 2023-10-10 |
| 发明（设计）人： | 刘峻 | 申请（专利权）人： | 长江先进存储产业创新中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H10B53/30 | 分类号： | H10B53/30;H10B53/20;G11C11/22 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 于景辉;李文彪 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖新技术开发区*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 一种三维存储架构，所述三维存储架构包括存储单元的顶部单元阵列、存储单元的底部单元阵列、耦合到阵列的多条字线、以及耦合到字线并且可操作以选择性地激活字线的多个字线解码器。多个字线解码器从底部单元阵列的第一边缘和从底部单元阵列的第二边缘延伸，第二边缘与第一边缘是相对的，其中，多个字线解码器包括字线解码器的第一部分和字线解码器的第二部分，并且其中，字线解码器的第一部分相对于字线解码器的第二部分沿平行于、或基本平行于第一边缘和第二边缘的方向移动。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 feram 架构 结构 方法 存储 阵列 | ||
【主权项】：
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