[发明专利]提高远程等离子体产生的氧化膜的质量的表面预处理工艺在审
| 申请号： | 202080004142.9 | 申请日： | 2020-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN112470253A | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | 谢挺;吕新亮;仲華;杨晓晅 | 申请（专利权）人： | 玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市铸成律师事务所 11313 | 代理人： | 王艳波;林军 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供用于氧化工件的工艺。在一个示例中，方法包括将工件放置在处理腔室中的工件支撑件上。所述方法包括对处理腔室中的工件执行预氧化处理工艺以在所述工件上引发氧化物层形成。所述方法包括对所述处理腔室中的所述工件执行远程等离子体氧化工艺，以继续在所述工件上进行氧化物层形成。在执行预氧化处理工艺和远程等离子体氧化工艺之后，所述方法可包括将所述工件从所述处理腔室移除。在一些实施例中，所述远程等离子体氧化工艺可包括：在等离子体腔室中由远程等离子体氧化工艺气体生成第一等离子体；过滤在所述等离子体中生成的物质以生成具有一种或多种自由基的混合物；以及将所述一种或多种自由基暴露于所述工件。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 远程 等离子体 产生 氧化 质量 表面 预处理 工艺 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
