[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202080006402.6 | 申请日： | 2020-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN113169163A | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 寺岛健史 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L25/18;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 包跃华;金玉兰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 能够抑制功率循环耐量降低。具备半导体芯片(30)，所述半导体芯片(30)在正面(34)具备由电极区域(32a、32b、32c、32d、32e)构成，并且从电极区域(32a、32b、32c、32d、32e)分别输出输出电流的有源区(32)。另外，具备在各个电极区域(32a、32b、32c、32d、32e)被连接至少一根的引线。另外，在半导体装置(10)中，引线被连接与所连接的电极区域(32a、32b、32c、32d、32e)的位置对应的每单位根数的电流量达到预定值以下的根数。由此，能够抑制由于电流流通导致的引线50的发热。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士电机株式会社，未经富士电机株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202080006402.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
