[发明专利]打线接合装置及半导体装置的制造方法在审
申请号: | 202080009029.X | 申请日: | 2020-07-15 |
公开(公告)号: | CN114207790A | 公开(公告)日: | 2022-03-18 |
发明(设计)人: | 吉野浩章;手井森介 | 申请(专利权)人: | 株式会社新川 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 杨文娟;臧建明 |
地址: | 日本东京武藏村*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种半导体装置的制造方法,利用导线将第一接合点与第二接合点之间连接,且所述半导体装置的制造方法包括:利用球形接合在第一接合点形成压接球与球颈的球形接合工序;在球颈与压接球之间形成减小了剖面面积的薄壁部的薄壁部形成工序;使瓷嘴上升而抽出导线尾端后,使瓷嘴向第二接合点的方向移动,在薄壁部分离导线尾端与压接球的导线尾端分离工序;以及使瓷嘴下降并将已分离的导线尾端的侧面接合在压接球上的导线尾端接合工序。 | ||
搜索关键词: | 接合 装置 半导体 制造 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社新川,未经株式会社新川许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202080009029.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:用于鲁棒的跨越头和跨越体链接的天线设计
- 下一篇:使用射频检测无接触手势
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造