[发明专利]薄膜形成用金属卤化物的固体气化供给系统在审
申请号: | 202080013066.8 | 申请日: | 2020-02-05 |
公开(公告)号: | CN113366142A | 公开(公告)日: | 2021-09-07 |
发明(设计)人: | 斋笃;松本浩 | 申请(专利权)人: | 株式会社高纯度化学研究所 |
主分类号: | C23C16/448 | 分类号: | C23C16/448;C23C16/34;C23C16/40;C25F3/16;H01L21/205;H01L21/31 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 张泽洲;司昆明 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 提供能够降低颗粒污染的薄膜形成用金属卤化物的固体气化供给系统。具备用于将薄膜形成用金属卤化物存积且使其蒸发的蒸发原料用容器(100)、与蒸发原料用容器(100)连接的缓冲罐(101),蒸发原料用容器(100)具备具有容器壁的容器主体、盖体、紧固部件、接头部件,容器壁具有由内壁部件及外壁部件构成的二重壁构造,构成为将载气经由二重壁构造之间向容器主体内导入,容器壁由纯度99~99.9999%的铜、纯度99~99.9996%的铝、或纯度99~99.9999%的钛构成,在容器主体、盖体、紧固部件、及接头部件分别施加氟树脂涂层及/或电解研磨。 | ||
搜索关键词: | 薄膜 形成 金属 卤化物 固体 气化 供给 系统 | ||
【主权项】:
暂无信息
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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