[发明专利]单片多I区二极管限制器

摘要

描述了许多单片二极管限制器半导体结构。二极管限制器可以包括具有不同本征区的二极管的混合排列，所有二极管都形成在相同的半导体衬底上方。在一个示例中，二极管限制器半导体结构中的两个PIN二极管具有不同的本征区厚度。第一PIN二极管具有较薄的本征区，而第二PIN二极管具有较厚的本征区。这种配置允许单独优化薄本征区PIN二极管和厚本征区PIN二极管二者。薄本征区PIN二极管可以针对低电平导通和平坦泄漏进行优化，而厚本征区PIN二极管可以针对低电容、良好的隔离和高入射功率水平进行优化。这种配置不限于两级解决方案，因为额外的级可以用于更高的入射功率处理。