[发明专利]具有耦合到载流子槽结构的晶体管主体区域的集成组合件;以及形成集成组合件的方法在审
申请号: | 202080014403.5 | 申请日: | 2020-03-05 |
公开(公告)号: | CN113454779A | 公开(公告)日: | 2021-09-28 |
发明(设计)人: | K·M·考尔道;刘海涛;D·V·N·拉马斯瓦米;高云飞;S·D·唐;D·C·潘迪 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | H01L27/108 | 分类号: | H01L27/108 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王龙 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一些实施例包含一种集成组合件,所述集成组合件具有载流子槽结构,并且具有在所述载流子槽结构上方的数字线。晶体管主体区域位于所述数字线上方。延伸部从所述载流子槽结构延伸到所述晶体管主体区域。所述延伸部被配置成将过量载流子从所述晶体管主体区域排出。下部源极/漏极区域位于所述晶体管主体区域与所述数字线之间,并与所述数字线耦合。上部源极/漏极区域在所述晶体管主体区域上方,且与存储元件耦合。栅极邻近所述晶体管主体区域。所述晶体管主体区域、下部源极/漏极区域和上部源极/漏极区域一起包括多个晶体管。所述晶体管和所述存储元件一起由存储器阵列的多个存储器单元组成。一些实施例包含形成集成组合件的方法。 | ||
搜索关键词: | 具有 耦合 载流子 结构 晶体管 主体 区域 集成 组合 以及 形成 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的