[发明专利]具有耦合到载流子槽结构的晶体管主体区域的集成组合件;以及形成集成组合件的方法在审

专利信息
申请号: 202080014403.5 申请日: 2020-03-05
公开(公告)号: CN113454779A 公开(公告)日: 2021-09-28
发明(设计)人: K·M·考尔道;刘海涛;D·V·N·拉马斯瓦米;高云飞;S·D·唐;D·C·潘迪 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: H01L27/108 分类号: H01L27/108
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 王龙
地址: 美国爱*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一些实施例包含一种集成组合件,所述集成组合件具有载流子槽结构,并且具有在所述载流子槽结构上方的数字线。晶体管主体区域位于所述数字线上方。延伸部从所述载流子槽结构延伸到所述晶体管主体区域。所述延伸部被配置成将过量载流子从所述晶体管主体区域排出。下部源极/漏极区域位于所述晶体管主体区域与所述数字线之间,并与所述数字线耦合。上部源极/漏极区域在所述晶体管主体区域上方,且与存储元件耦合。栅极邻近所述晶体管主体区域。所述晶体管主体区域、下部源极/漏极区域和上部源极/漏极区域一起包括多个晶体管。所述晶体管和所述存储元件一起由存储器阵列的多个存储器单元组成。一些实施例包含形成集成组合件的方法。
搜索关键词: 具有 耦合 载流子 结构 晶体管 主体 区域 集成 组合 以及 形成 方法
【主权项】:
暂无信息
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