[发明专利]处理基板的方法在审
| 申请号： | 202080014477.9 | 申请日： | 2020-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN113424297A | 公开（公告）日： | 2021-09-21 |
| 发明（设计）人： | R·纳拉亚南;阮芳;P·K·库尔施拉希萨;D·N·凯德拉亚;K·嘉纳基拉曼 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/033;H01L21/311;H01L21/683;C23C16/32;H01J37/32;C23C16/505 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 汪骏飞;侯颖媖 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开的实施例总体上涉及处理基板的方法。方法包括使定位于处理腔室的处理容积中的基板暴露于含烃气体混合物、使基板暴露于含硼气体混合物，及在处理容积中产生射频(RF)等离子体，以于基板上沉积硼‑碳膜。含烃气体混合物与含硼气体混合物以(含硼气体混合物)/(含硼气体混合物+含烃气体混合物)为约0.38至约0.85的前驱物比率流入处理容积。硼‑碳硬掩模膜为高深宽比特征(例如10：1或以上)和小尺寸器件(例如7纳米节点或以下)提供高模量、蚀刻选择性和应力。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
