[发明专利]使用沟槽移除器件的方法在审
| 申请号： | 202080014791.7 | 申请日： | 2020-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN113439322A | 公开（公告）日： | 2021-09-24 |
| 发明（设计）人： | 神川刚;S.甘德罗图拉;M.阿拉基 | 申请（专利权）人： | 加利福尼亚大学董事会 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/84;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王蕊瑞 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在基板的开口区域上生长外延横向过生长(ELO)层，其中ELO层高于基板中的沟槽的表面。沟槽易于形成ELO层的对称形状，这使得其适用于倒装芯片接合。ELO层的形状在由ELO层形成的条的背面具有凹陷的表面区域。劈裂点位于比ELO层的底部更高的位置，使得可以有效地向劈裂点施加力以移除条。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 沟槽 器件 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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