[发明专利]包括在两种或更多种不同半导体材料内扩散的氢的集成组合件及形成集成组合件的方法在审
| 申请号： | 202080019268.3 | 申请日： | 2020-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN113544814A | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | K·M·考尔道;李宜芳;刘海涛;D·V·N·拉马斯瓦米;R·甘地;K·萨尔帕特瓦里;S·E·西利士;S·查杰德 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/08;H01L29/26;H01L29/78;H01L29/66;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一些实施例包含一种集成组合件，其具有在第二半导体材料的两个区之间的第一半导体材料。所述第二半导体材料是不同于所述第一半导体材料的成分。氢在所述第一及第二半导体材料内扩散。所述第二半导体材料的导电性响应于扩散在其中的所述氢而增加，以借此创建具有所述第二半导体材料作为源极/漏极区并且具有所述第一半导体材料作为在所述源极/漏极区之间的沟道区的结构。晶体管栅极邻近所述沟道区并且经配置以在所述沟道区内感应电场。一些实施例包含形成集成组合件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 多种 不同 半导体材料 扩散 集成 组合 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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