[发明专利]薄膜内包含金属或金属氧化物的硅金属氧化物封装膜及其制备方法在审
| 申请号： | 202080019789.9 | 申请日： | 2020-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN113906579A | 公开（公告）日： | 2022-01-07 |
| 发明（设计）人： | 金铭云;李相益;张世珍;金成基;朴廷主;蔡元默;曺儿罗;杨炳日;朴重进;朴建柱;李三东;林幸墩;全相勇 | 申请（专利权）人： | DNF有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/52 | 分类号： | H01L51/52;H01L21/02;H01L21/3065;H01L21/3213;H01L21/56;H01L51/56 |
| 代理公司： | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人： | 王卫彬;徐婕超 |
| 地址： | 韩国大田广域市*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及薄膜内包含金属或金属氧化物的硅氧化物封装膜及其制备方法，本发明的硅金属氧化物封装膜的薄膜生长率高，水分及氧气的渗透率低，虽然厚度很薄，但密封效果非常优秀，而且能够调节应力强度及折射率，因此可以有效制备应用于柔性显示器的高品质的硅金属氧化物封装膜。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 包含 金属 氧化物 封装 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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