[发明专利]具有双阱隔离的延伸漏极MOS在审
| 申请号： | 202080022517.4 | 申请日： | 2020-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN113614882A | 公开（公告）日： | 2021-11-05 |
| 发明（设计）人： | C·特塞;G·马图尔 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/266 | 分类号： | H01L21/266;H01L27/105;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 袁策 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 集成电路(100)包括延伸漏极MOS晶体管(105)。集成电路(100)的衬底(101)具有第一导电类型的下层(103)。延伸漏极MOS晶体管(105)的漏极阱(106)具有第一导电类型。漏极阱(106)通过具有相反的第二导电类型的漏极隔离阱(112)与下层(103)分开。延伸漏极MOS晶体管(105)的源极区(108)通过具有第二导电类型的体阱(113)与下层(103)分开。漏极隔离阱(112)和体阱(113)都接触下层(103)。漏极隔离阱(112)中的第二导电类型的平均掺杂剂密度小于体阱(113)中的第二导电类型的平均掺杂剂密度。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 隔离 延伸 mos | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
