[发明专利]平坦化外延横向生长层上的表面的方法在审
| 申请号： | 202080024824.6 | 申请日： | 2020-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN113632200A | 公开（公告）日： | 2021-11-09 |
| 发明（设计）人： | 神川刚;S.甘德罗图拉 | 申请（专利权）人： | 加利福尼亚大学董事会 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;C30B25/02;C30B29/40 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军;潘晓波 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种平坦化外延横向过度生长(ELO)层上的表面的方法，导致获得具有岛状III族氮化物半导体层的平滑表面。岛状III族氮化物半导体层是通过在ELO层彼此聚结之前停止它们的生长而形成的。然后，在生长至少一些III族氮化物器件层之前移除生长限制掩模。移除掩模减少了对岛状III族氮化物半导体层的侧分面的过量气体供应，这有助于在岛状III族氮化物半导体层上获得平滑的表面。该方法还避免了由来自掩模的分解的n型掺杂剂(诸如硅和氧原子)对p型层的补偿。 | ||
| 搜索关键词： | 平坦 化外 横向 生长 表面 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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