[发明专利]形成三维水平反或型存储器阵列的制程在审
| 申请号： | 202080031720.8 | 申请日： | 2020-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN113748466A | 公开（公告）日： | 2021-12-03 |
| 发明（设计）人： | 叶利·哈拉里;武仪·亨利·简 | 申请（专利权）人： | 日升存储公司 |
| 主分类号： | G11C11/40 | 分类号： | G11C11/40;G11C16/04;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 北京寰华知识产权代理有限公司 11408 | 代理人： | 何尤玉;郭仁建 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种形成具有改善通道区的薄膜存储晶体管(例如水平反或闸(HNOR)装置)的制程，通过保形地沉积一薄膜通道层于一空腔来与一源极及一汲极接壤，使得通道材料的一部份通过接面接触源极，以及通道层的另一部分通过接面接触汲极。该空腔也以一存储层为边界。在该制程的一种形式中，于形成该存储层之前形成该通道层。在该制程的一种形式中，于形成该通道层之前形成该存储层。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 三维 水平 存储器 阵列 | ||
【主权项】：
暂无信息
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