[发明专利]钝化膜的制造方法在审
| 申请号： | 202080036949.0 | 申请日： | 2020-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN113840941A | 公开（公告）日： | 2021-12-24 |
| 发明（设计）人： | 谷本阳祐 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | C23C8/28 | 分类号： | C23C8/28;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 段承恩;杨光军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种钝化膜的制造方法，其能够再现性良好地制造氧原子的浓度低的钝化膜。采用具备钝化工序的方法制造钝化膜，在该钝化工序中，利用含有含氧化合物和硫化氢的钝化气体，对表面具有锗和钼中的至少一者的基板进行处理，在基板的表面上形成含有硫原子的钝化膜，该含氧化合物是在分子中具有氧原子的化合物。钝化气体中的含氧化合物的浓度为0.001摩尔ppm以上且小于75摩尔ppm。 | ||
| 搜索关键词： | 钝化 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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